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【华秋干货铺】电源 PCB 设计汇总

作者:华秋电子
  • 2023-08-10
    广东
  • 本文字数:4162 字

    阅读完需:约 14 分钟

在《PCB 设计丨电源设计的重要性》一文中,已经介绍了电源设计的总体要求,以及不同电路的相关布局布线等知识点,那么本篇内容,小编将以 RK3588 为例,为大家详细介绍其他支线电源的 PCB 设计。


电源 PCB 设计


01

如下图(上)所示的滤波电容,原理图上靠近 RK3588 的 VDD_CPU_BIG 电源管脚绿线以内的去耦电容,务必放在对应的电源管脚背面,电容 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在芯片附近,而且需要摆放在电源分割来源的路径上。



02

RK3588 芯片 VDD_CPU_BIG0/1 的电源管脚,保证每个管脚边上都有一个对应的过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接。

如下图是电源管脚扇出走线情况,建议走线线宽 10mil。


03

VDD_CPU_BIG0/1 覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚路径都足够。

04

VDD_CPU_BIG 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(12 个及以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

05

VDD_CPU_BIG 电流比较大需要双层覆铜,VDD_CPU_BIG 电源在 CPU 区域线宽合计不得小于 300mil,外围区域宽度不小于 600mil。

尽量采用覆铜方式降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜),如下图所示。



06

电源平面会被过孔反焊盘破坏,PCB 设计时注意调整其他信号过孔的位置,使得电源的有效宽度满足要求。

下图 L1 为电源铜皮宽度 58mil,由于过孔的反焊盘会破坏铜皮,导致实际有效过流宽度仅为 L2+L3+L4=14.5mil。


07

BIG0/1 电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧12 个,如下图所示。


08

BIG 电源 PDN 目标阻抗建议值,如下表和下图所示。



电源 PCB 设计

VDD_LOGIC

01

VDD_LOGIC 的覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚路径都足够。

02

如下图(上)所示,原理图上靠近 RK3588 的 VDD_LOGIC 电源管脚绿线以内的去耦电容,务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND 管脚尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在 RK3588 芯片附近,并摆放在电源分割来源的路径上。



03

RK3588 芯片 VDD_LOGIC 的电源管脚,每个管脚需要对应一个过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图所示,建议走线线宽 10mil。


04

BIG0/1 电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间 VDD_LOGIC 电源在 CPU 区域线宽不得小于 120mil,外围区域宽度不小于 200mil。

尽量采用覆铜方式,降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜),GND 过孔数量建议≧12 个。


05

VDD_LOGIC 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(8 个以上 10-20mil 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用,如下图所示。


06

电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧11 个,如下图所示。


电源 PCB 设计

VDD_GPU

01

VDD_GPU 的覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚的路径都足够。

02

VDD_GPU 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(10 个以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

03

如下图(上)所示,原理图上靠近 RK3588 的 VDD_GPU 电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在 RK3588 芯片附近,并需要摆放在电源分割来源的路径上。



04

RK3588 芯片 VDD_GPU 的电源管脚,每个管脚需要对应一个过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图所示,建议走线线宽 10mil。


05

VDD_GPU 电源在 GPU 区域线宽不得小于 300mil,外围区域宽度不小于 500mil,采用两层覆铜方式,降低走线带来压降。


06

电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧14 个,如下图所示。


设计完 PCB 后,一定要做分析检查,才能让生产更顺利,这里推荐一款可以一键智能检测 PCB 布线布局最优方案的工具:华秋 DFM 软件,只需上传 PCB/Gerber 文件后,点击一键 DFM 分析,即可根据生产的工艺参数对设计的 PCB 板进行可制造性分析。

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基本可涵盖所有可能发生的制造性问题,能帮助设计工程师在生产前检查出可制造性问题,且能够满足工程师需要的多种场景,将产品研制的迭代次数降到最低,减少成本。


电源 PCB 设计

VDD_NPU

01

VDD_NPU 的覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚的路径都足够。

02

VDD_NPU 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(7 个以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

03

如下图(上)所示,原理图上靠 RK3588 的 VDD_NPU 电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在 RK3588 芯片附近,并需要摆放在电源分割来源的路径上。



04

RK3588 芯片 VDD_NPU 的电源管脚,每个管脚就近有一个对应过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图所示 ,建议走线线宽 10mil。


05

VDD_NPU 电源在 NPU 区域线宽不得小于 300mil,外围区域宽度不小于 500mil。

尽量采用覆铜方式,降低走线带来的压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜)。


06

电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧9 个。


电源 PCB 设计

VDD_CPU_LIT

01

VDD_CPU_LIT 覆铜宽度需满足芯片电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚的路径都足够。

02

VDD_CPU_LIT 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(9 个以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

03

如下图(上)所示,原理图上靠近 RK3588 的 VDD_CPU_LIT 电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在 RK3588 芯片附近,并需要摆放在电源分割来源的路径上。



04

RK3588 芯片 VDD_CPU_LIT 的电源管脚,每个管脚就近有一个对应过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图建议走线线宽 10mil。


05

VDD_CPU_LIT 电源在 CPU 区域线宽不得小于 120mil,外围区域宽度不小于 300mil。

采用双层电源覆铜方式,降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜)。


06

电源过孔 40mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧9 个。


电源 PCB 设计

VDD_VDENC

01

VDD_VDENC 覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚的路径都足够。

02

VDD_VDENC 电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(9 个以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

03

如下图(上)所示,原理图上靠近 RK3588 的 VDD_VDENC 电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,如下图(下)所示。

其余的去耦电容尽量摆放在 RK3588 芯片附近,并需要摆放在电源分割来源的路径上。



04

RK3588 芯片 VDD_VDENC 的电源管脚,每个管脚就近有一个对应过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图建议走线线宽 10mil。


05

VDD_VDENC 电源在 CPU 区域线宽不得小于 100mil,外围区域宽度不小于 300mil,采用双层电源覆铜方式,降低走线带来压降。


06

电源过孔 30mil 范围(过孔中心到过孔中心间距)内的 GND 过孔数量,建议≧8 个。


电源 PCB 设计

VCC_DDR

01

VCC_DDR 覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到 CPU 每个电源 PIN 脚的路径都足够。

02

VCC_DDR 的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(9 个以上 0.5*0.3mm 的过孔),降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的 GND 过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

03

如下图(上)所示,原理图上靠近 RK3588 的 VCC_DDR 电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的 GND PAD 尽量靠近芯片中心的 GND 管脚放置,其余的去耦电容尽量靠近 RK3588,如下图(下)所示。



04

RK3588 芯片 VCC_DDR 的电源管脚,每个管脚需要对应一个过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如下图建议走线线宽 10mil。


当 LPDDR4x 时,链接方式如下图所示。


05

VCC_DDR 电源在 CPU 区域线宽不得小于 120mil,外围区域宽度不小于 200mil。

尽量采用覆铜方式,降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜)。


设计完 PCB 后,一定要做分析检查,才能让生产更顺利,这里推荐一款可以一键智能检测 PCB 布线布局最优方案的工具:华秋 DFM 软件,只需上传 PCB/Gerber 文件后,点击一键 DFM 分析,即可根据生产的工艺参数对设计的 PCB 板进行可制造性分析。

华秋 DFM 软件是国内首款免费 PCB 可制造性和装配分析软件,拥有 300 万+元件库,可轻松高效完成装配分析。其 PCB 裸板的分析功能,开发了 19 大项,52 细项检查规则,PCBA 组装的分析功能,开发了 10 大项,234 细项检查规则

基本可涵盖所有可能发生的制造性问题,能帮助设计工程师在生产前检查出可制造性问题,且能够满足工程师需要的多种场景,将产品研制的迭代次数降到最低,减少成本。

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