低能离子束芯片编辑技术实现高效设计

聚焦离子束电路编辑(FIB-CE)是一种通过离子流蚀刻新结构或沉积新材料来修改微器件的技术。传统方法需要 30keV 高能离子束和牺牲参考区域，而新方法采用 5keV 低能离子束，具有三大突破：

1. 无牺牲区域：消除传统工艺所需的参考标记区域，避免破坏功能性电路

2. 大特征尺寸：支持创建更大尺寸的修改结构，改善电子特性

3. 精度提升：增强的二次电子信号使显微镜信噪比提高 20%

技术验证采用动态环形振荡器(DRO)阵列测试：

• 5keV 离子束刻蚀绝缘沟槽后，DRO 仅出现轻微频率偏移

• 透射电镜显示 30keV 束仅保留 17nm 鳍片结构，而 5keV 束保留更完整

该技术已应用于某机构自研芯片，使设计迭代周期缩短 40%，芯片能效提升 15%。研究团队正在探索将该方法扩展到 3D 芯片堆叠等新型封装技术领域。

更多精彩内容 请关注我的个人公众号 公众号（办公 AI 智能小助手）公众号二维码

办公AI智能小助手