低能离子束芯片编辑技术实现高效设计
聚焦离子束电路编辑(FIB-CE)是一种通过离子流蚀刻或沉积材料来修改微器件的技术。传统方法需要 30keV 高能离子束,会损伤芯片结构且需牺牲区域制作定位标记。某中心实验室近期研究证明,采用 5keV 低能离子束可实现三大突破:
无牺牲区域编辑:直接暴露晶体管鳍片底层结构,对芯片功能影响极小。实验显示,动态环形振荡器在离子束照射后仅出现轻微频率偏移。
更大特征尺寸创建:相比高能束受限于窄扫描宽度,低能束可暴露更大区域,提升显微镜信噪比,使纳米级修改更精准。透射电镜图像显示,5keV 离子束照射后晶体管鳍片保留结构比 30keV 多 85%。
电子特性优化:更大的暴露区域增加二次电子数量,改善电路性能。该技术已应用于某机构定制芯片设计流程,可快速验证设计变更,较传统微制造工艺节省大量成本和时间。
这项突破性方法为高密度集成电路的后制造修改提供了新范式,特别适用于采用尖端制程技术、电路布局极其紧凑的现代芯片设计。更多精彩内容 请关注我的个人公众号 公众号(办公 AI 智能小助手)公众号二维码

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