电源噪声的起因及危害

对造成电源不稳定的根源进行简单分析如下，主要在于两个方面：一是器件高速开关状态下，瞬态的交变电流过大；二是电流回路上存在的电感。从表现形式上来看又可以分为三类：同步开关噪声（SSN），有时被称为Δi 噪声，地弹（Ground bounce）现象也可归于此类（图 1-a）；非理想电源阻抗影响（图 1-b）；谐振及边缘效应（图 1-c）。

对于一个理想的电源来说，其阻抗为零，在平面任何一点的电位都是保持恒定的（等于系统供给电压），然而实际的情况并不如此，而是存在很大的噪声干扰，甚至有可能影响系统的正常工作，见图 2：

开关噪声给信号传输带来的影响更为显著，由于地引线和平面存在寄生电感，在开关电流的作用下，会造成一定的电压波动，也就是说器件的参考地已经不再保持零电平，这样，在驱动端（见图 3-a），本来要发送的低电平会出现相应的噪声波形，相位和地面噪声相同，而对于开关信号波形来说，会因为地噪声的影响导致信号的下降沿变缓；在接收端（见图 3-b），信号的波形同样会受到地噪声的干扰，不过这时的干扰波形和地噪声相位相反；另外，在一些存储性器件里，还有可能因为本身电源和地噪声的影响造成数据意外翻转（图 3-c）。

从前面的图 3-c 我们可以看到，电源平面其实可以看成是由很多电感和电容构成的网络，也可以看成是一个共振腔，在一定频率下，这些电容和电感会发生谐振现象，从而影响电源层的阻抗。比如一个 8 英寸×9 英寸的PCB空板，板材是普通的 FR4，电源和地之间的间距为 4.5Mils，随着频率的增加，电源阻抗是不断变化的，尤其是在并联谐振效应显著的时候，电源阻抗也随之明显增加（见图 4）。

除了谐振效应，电源平面和地平面的边缘效应同样是电源设计中需要注意的问题，这里说的边缘效应就是指边缘反射和辐射现象，也可以列入 EMI 讨论的范畴。如果抑制了电源平面上的高频噪声，就能很好的减轻边缘的电磁辐射，通常是采用添加去耦电容的方法，从图 5 中可以看出去耦电容在抑制边缘辐射中的作用。边缘效应是无法完全避免的，在设计 PCB 时，要尽量让信号走线远离铺铜区边缘，以避免受到太大的干扰。