英特尔实现 3D 先进封装技术的大规模量产

英特尔宣布已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的 3D 封装技术 Foveros，该技术为多种芯片的组合提供了灵活的选择，带来更佳的功耗、性能和成本优化。

这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州 Fab 9 投产的。英特尔公司执行副总裁兼首席全球运营官 Keyvan Esfarjani 表示：“先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。”

这一里程碑式的进展还将推动英特尔下一阶段的先进封装技术创新。随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”（chiplets）的异构时代，英特尔的 Foveros 和 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等先进封装技术提供了速度更快、成本更低的路径，以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在 2030 年后继续推进摩尔定律。

英特尔的 3D 先进封装技术 Foveros 是业界领先的解决方案，在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Foveros 让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。

英特尔将继续致力于推进技术创新，扩大业务规模，满足不断增长的半导体需求。