瑞萨 RH850 FCL、FDL 和 EEL 库的配置和使用
瑞萨 RH850 Flash 中有两种存储类型:Mapping of Code Flash Memory 和 Mapping of Data Flash Memory。
Mapping of Code Flash Memory 存储代码,Mapping of Data Flash Memory 存储数据。
瑞萨车规级 MCU 操作 Flash 没有直接提供寄存器接口,需要安装官方提供的库文件,有三种形式:
FCL:程序存储区仿真库,可使用此库访问程序存储区,一般用于程序自升级操作;
FDL:数据存储区仿真库,可通过此库操作数据区,需要人为定义地址和数据长度,占用 Flash 空间比 EEL 略少,但占用 RAM 大;
EEL:EEPROM 仿真库,可使用此库来访问数据内存区,该方法类似于访问外部 EEPROM,使用此库时,不用管理对数据区闪存写和擦除操作,其占用 Flash 容量大,需配合 FDL 库来操作。
RH850 FCL、FDL和EEL安装包、源码、配置PPT和使用说明-嵌入式文档类资源
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1、FCL 库
1.1、配置 FCL 库
第 1 步:下载 FCL 库。
FCL 库官网地址:Code Flash Libraries (Flash Self Programming Libraries)
RH850 FCL 库与用户手册地址:RH850/F1KM-S4 Design Support Resources | Renesas
第 2 步:安装 FCL 库。
安装完成后可见官方库文件和用户使用文件两部分:
文件系统结构说明如下所示:
第 3 步:将官方库文件和对应的用户使用文件添加到自己的工程后,在 CS+工程中的添加 FCL 需要的代码段,如下图所示:
注意:
在这些代码段中请不要插入其他段;
FCL_RESERVED.bss 段: 在 RAM 中存放 FCL 库运行的代码,即复制上面代码段的内容到此 RAM 中。如果定义了 R_FCL_HANDLER_CALL_USER,则用户代码 R_FCL_CODE_USER.text 也此 RAM 中运行。在实际应用中定义 FCL_RESERVED 预留的大小,大小必须包含该库代码量和用户代码量(如果定义了 R_FCL_HANDLER_CALL_USER );
R_FCL_DATA.bss:FCL 内部运行数据段;
在 CS+环境下,FCL 编译后会出现 3 个对齐失配警告,请忽略。
第 4 步:修改 fcl_cfg.h 文件。
R_FCL_HANDLER_CALL_USER(user mode): user 模式,用户代码运行在 RAM 区,在自编程命令执行期间,可以运行用户代码,用户可以轮询库的运行状态。需要消耗一定的 RAM 空间;
R_FCL_HANDLER_CALL_INTERNAL (internal mode):internal 模式,不需要轮询库的状态,在自编程命令执行期间没有状态值的返回,直到命令执行结束。消耗 RAM 空间小。
第 5 步: 修改 fcl_descriptor.h 文件。
FCL_CPU_FREQUENCY_MHZ:CPU 工作频率配置,请不要在库的运行期间改变 CPU 的工作频率,如果需要改变,改完后必须重新初始化 FCL 库;
FCL_AUTHENTICATION_ID:如果设备设置了 ID 验证码,需要提供相应的 ID 码,在 FCL 初始阶段需要验证 ID,如果 ID 验证不通过,不能成功执行 FCL 命令;
FCL_RAM_ADDRESS:根据相应的设备配置 RAM 起始。
第 6 步:修改 r_fcl_types.h 文件。
在 FCL V2.12 版本中增加了 R_FCL_NO_FCU_COPY、R_FCL_MIRROR_FCU_COPY 和 R_FCL_NO_BFA_SWITCH 预编译配置选项。
在执行 FCL 库环境准备命令时,为了从 MCU 内部固件读取数据,需要开关 CodeFlash 几次。有些设备需要更少的开关来完成这个准备工作,需要定义 R_FCL_NO_BFA_SWITCH 宏;
R_FCL_NO_BFA_SWITCH 宏和 R_FCL_NO_FCU_COPY、R_FCL_MIRROR_FCU_COPY 不能同时被定义。
预编译目标设备所需的定义如下表所示:
1.2、使用 FCL 库
2、FDL 库
2.1、配置 FDL 库
第 1 步:下载 FDL 库。
FDL 库官网地址:Data Flash Libraries
RH850 FDL 库与用户手册地址:RH850/F1KM-S4 Design Support Resources
第 2 步:安装 FDL 库。
安装完成后可见官方库文件和用户使用文件两部分:
第 3 步:将官方库文件和对应的用户使用文件添加到自己的工程后,在 CS+工程中的添加 FDL 需要的代码段,如下图所示:
注意:
FDL 库的代码段请按照如图样例 1 设置,位置可以任意,但不要插在 FCL 代码的中间;
R_FDL_Data.bss:FCL 内部运行变量据段;
R_FDL_CodeRam.bss: 在执行 FDL 环境准备期间,Code Flash 不可用,需要从 RAM 中运行代码。
第 4 步:修改 r_fdl.h 文件。
在 FDL V2.12 版本中增加了 R_FDL_NO_FCU_COPY, R_FDL_MIRROR_FCU_COPY 和 R_FDL_NO_BFA_SWITCH 预编译配置选项。
在执行 FDL 库初始化时,为了从 MCU 内部拷贝固件,需要在固件区和用户区来回切换几次,需要定义宏 R_FDL_NO_BFA_SWITCH 。有些设备不需要拷贝固件(比如 RH850/D1M1A),需要定义 R_FDL_NO_FCU_COPY 宏。
不要同时定义 R_FDL_NO_BFA_SWITCH 和 R_FDL_NO_FCU_COPY, R_FDL_MIRROR_FCU_COPY 。
预编译目标设备所需的定义如下表所示:
第 5 步:修改 fdl_descriptor.h 文件。
CPU_FREQUENCY_MHZ:CPU 工作频率配置,请不要在库的运行期间改变 CPU 的工作频率,如果需要改变,改变后必须重新初始化 FDL 库;
EEL_VIRTUALBLOCKSIZE 虚拟块定:Data Flash 物理块的大小为 64Bytes,在 EEL(EE2PROM Emulation Library)库中,需要合并一定数量的物理块虚拟成一个虚拟块作为 EEL 的缓冲区,用户可以根据实际应用定义虚拟块的大小;如果没有使用 EEL,设 EEL_VIRTUALBLOCKSIZE = 0。如果使用 EEL,例如要定义 2KB 的虚拟块,则需要 32 块 64B 的物理块组成,那么设 EEL_VIRTUALBLOCKSIZE = 32。
FDL_POOL_SIZE :设备 Data Flash 的物理块的数量;
EEL_POOL_START、EEL_POOL_SIZE:EEL 池的起始块和大小定义。 如果没有使用 EEL,设 EEL_POOL_START = 0, EEL_POOL_SIZE = 0;如果使用 EEL,例如 EEL_POOL_START = 0u * EEL_VIRTUALBLOCKSIZE、EEL_POOL_SIZE = 5 * EEL_VIRTUALBLOCKSIZE。
2.2、使用 FDL 库
3、EEL 库
FDL 和 EEL 都是操作 Data Flash Memory,EEL 依托于 FDL,在 FDL 库中已经讲解了使用 EEL 的方法。EEL 和 FDL 关系如下图所示:
EEL PooL:EEL Pool 为 EEL 提供存储数据和管理信息;
User PooL:所有不是 EEL Pool 分配的 FDL Pool 空间都可由用户应用程序自由使用,因此称为 User PooL。
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版权声明: 本文为 InfoQ 作者【不脱发的程序猿】的原创文章。
原文链接:【http://xie.infoq.cn/article/06aa8c1552f54f4c48b372a52】。文章转载请联系作者。
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